導航
技術專欄
走進技術專欄,解鎖前沿科技
輕鬆掌握測試知識,率先成為科技達人
2025/08
11
晶閘管的工作原理及其與三極管的區別

      晶閘管(Thyristor),又稱可控矽整流管(Silicon Controlled Rectifier,SCR),是一種重要的電力電子器件。它的電路符號包含三個電極:陽極(A)、陰極(K)和控製極(G)。與常見的三極管或MOS管不同,晶閘管的控製方式具有獨特特性,使其在大功率應用中具有不可替代的地位。茄子视频懂你更多APP測試科技今天來給大家講講晶閘管的工作原理及其與三極管的區別。

  晶閘管與三極管控製方式的差異

  對於三極管或MOS管這類半導體器件,其控製方式相對簡單直接:

  當控製端(基極或柵極)施加適當電壓或電流時,器件導通

  當控製信號移除時,器件立即截止

  控製信號的存在與否直接決定器件的導通狀態

  而晶閘管的控製方式則顯著不同:

  在陽極和陰極之間施加正向電壓時,若控製極無電壓,晶閘管保持截止狀態

  當控製極施加觸發電壓後,晶閘管導通

  觸發後,即使移除控製極電壓,晶閘管仍保持導通狀態

  無法通過控製極來關斷晶閘管

  這種"一觸即發、持續導通"的特性使晶閘管成為"半控型"器件,隻能控製其導通,不能通過控製極控製其關斷。

  晶閘管的工作原理

  要理解晶閘管的獨特行為,需要分析其內部結構和工作機製。

  半導體結構

  晶閘管由四層半導體材料交替構成(P-N-P-N),形成三個PN結:

  最上層為P型材料(陽極)

  接著是N型材料

  然後是P型材料(連接控製極)

  最下層為N型材料(陰極)

  這種結構可以等效為兩個互連的三極管:

  一個PNP三極管(Q1)

  一個NPN三極管(Q2)

  導通機製

  當控製極施加正向電壓時:

  Q2(NPN)的基極獲得電流而導通

  Q2導通後為Q1(PNP)的基極提供電流通路

  Q1隨之導通

  Q1的集電極電流又為Q2提供基極電流

  形成正反饋回路,即使移除控製極電壓,兩晶體管仍互相維持導通狀態

  這種自保持的正反饋機製解釋了為什麽晶閘管一旦觸發就會持續導通,而不需要持續的控製信號。

  關斷條件

  由於控製極無法關斷晶閘管,必須采用其他方法:

  降低陽極電壓:使陽極電流降至維持電流以下

  施加反向電壓:在陽極和陰極間加反向偏壓

  強製換流:在外電路中采取措施中斷電流

  晶閘管與三極管的比較

  wechat_2025-08-11_142122_010

  晶閘管的優勢與應用

  盡管在控製靈活性上不如三極管,晶閘管在以下方麵具有不可替代的優勢:

  高電壓大電流能力:可承受數千伏電壓、數百安培電流

  低導通損耗:適合大功率應用

  簡單驅動:隻需脈衝觸發,不需要持續控製信號

  高可靠性:結構堅固,適合惡劣環境

  主要應用領域包括:

  可控整流:將交流電轉換為可控的直流電

  電機調速:交流/直流電機的速度控製

  溫度控製:電加熱設備的功率調節

  照明控製:舞台燈光、城市照明的調光係統

  電力係統:無功補償、高壓直流輸電等

  晶閘管的類型與發展

  除基本型SCR外,晶閘管家族還包括多種衍生類型:

  雙向晶閘管(TRIAC):可雙向導通,用於交流控製

  門極可關斷晶閘管(GTO):可通過門極控製關斷的全控型器件

  集成門極換流晶閘管(IGCT):結合GTO和MOSFET優點的高性能器件

  MOS控製晶閘管(MCT):用MOS結構控製的新型器件

  這些發展彌補了傳統晶閘管的部分缺點,擴展了其應用範圍。

網站地圖